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MOS管厂家/深圳晶博威电子
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MOS管厂家/深圳晶博威电子

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深圳晶博威电子有限公司
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广东 深圳市福田区 中航路都会大厦A座10D
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深圳晶博威电子有限公司

深圳市晶博威电子有限公司是一家集于开发、设计生产、销售、服务为—体的大型股份制企业,三极管主要品种有:可控硅、场效应、肖特基、快恢复、功率管等,外形有TO-3P T0-220 T0-220F T0-251 T0-252 TO-1 26 T0-92 SOT-23。产品品质优良,全部环保无铅,通过IS09001: 2008质量管理体系认证,CTI环保认证。 公司始终秉持“客户的要求就是我们的追求,客户利益就是我们的利益”之信念与全体员工共勉。坚持自己的经营理念:诚信、超越、敬业、和谐。为客户提供的b不仅是zyjl的产品,更倚重于服务、理念的完善,成为跨越的桥梁,溶汇于全球一体化的经济大潮中。 本公司产品广泛应用于新能源锂电池平衡板、电动汽车、电动自行车、通讯、电动工具、LED照明、逆变器、电源、节能灯、家电等十几个相关领域。晶博威电子本着诚信至上,服务周到,开拓进取的经营方针,凭借具有现货,库存量庞大,种类齐全,价格实惠等优势,发展成为全国{lx1}的电子元器件制造企业。 Jbw Electronics Co. Ltd is a set design, development, production in sales, service as one of the larg-escale joint-stock Enterprises, the main varieties are: triode thyristor, FET Schottky, fast recovery, powertube, the shape of T0-3P T0-220 T0-220F T0-251 T0-252 T0-126 T0-92 SOT-23. 3P T0-220 T0-220 FT0-251 T0-252 T0-126 T0-92 SOT-23. All products of good quality, The environment-friendly lead-frae,through the IS09001 :2008 quality management system certiflcatian, CTI enviranmental certification. The company always uphold the "customar's requIrement Is our pUrsuIt, customerlnterests are ourimarests and beliefs' All tha staff encouragement. Adhera to our business philosophy: intagrity, dedicatian,harmony, beyond. For customers to provide not only Lower prices and better quality products, perfect service, rely more heavily on the idea, become across the bridge. merged in the globalintegration The economic tida. This product is widely used in new energy lithium batteW balance board, electric cars, electric bicycles.electric tools.
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深圳晶博威电子有限公司是MOS管厂家,主要经营MOS管批发,深圳MOS管代理,MOS管供应,广泛应用于新能源锂电池平衡板、电动汽车、电动自行车、通讯、电动工具、LED照明、逆变器、电源、节能灯、家电等十几个相关领域。晶博威电子本着诚信至上,服务周到,开拓进取的经营方针,凭借具有现货,库存量庞大,种类齐全,价格实惠等优势,发展成为全国{lx1}的电子元器件制造企业。 众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性,并为器件选择提供指导。{zh1},解释了Microsemi公司Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。 功率MOSFET结构 图1为APT N型沟道功率MOSFET剖面图(本文只讨论N型沟道MOSFET)。在栅极和源极间加正压,将从衬底抽取电子到栅极。如果栅源电压等于或者高于阈值电压,栅极下沟道区域将积累足够多的电子从而产生N型反型层;在衬底形成导电沟道(MOSFET被增强)。电子在沟道内沿任意方向流动。电子从源极流向漏极时,产生正向漏极电流。沟道关断时,正向漏极电流被阻断,衬底与漏极之间的反偏PN结维持漏源之间的电势差。对于N型MOSFET,正向导通时,只有电子流,没有少子。开关速度仅受限于MOSFET内寄生电容的充电和放电速率。因此,开关速率可以很快,开关损耗很低。开关频率很高时,这让功率MOSFET具有很高的效率。 联系人:夏先生 深圳市晶博威电子有限公司 地址:中国 广东 深圳市福田区 中航路都会大厦A座10D
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