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4N60C为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源, DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
产品特点:
4A,600V,RDS(on)(典型值)1.97Ω
低电荷、低反向传输电容
开关速度快
漏极—漏极电压(VDS):600V
漏极电流(ID):4A
栅源电压(VGS):±30V
耗散功率(PD):36W
结温(TJ):150℃
储存温度(Tstg):-55~150℃
详细参数:请参照产品规格书或直接来电咨询
浩畅公司主营产品:二极管,三极管,三端稳压IC,低压差线性稳压IC,场效应管(MOS管),可控硅,整流桥,集成电路IC,光耦;等系列产品。