SI2301 P沟道增强型功率MOSFET
该SI2301采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于负荷开关或在PWM应用。
总体特征:
● VDS = -20V,ID = -3A
RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=-2.5V
RDS(ON) < 110mΩ @ VGS=-4.5V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
产品详细规格参数:见产品规格书!
订购说明:最小起订量以最小包装为准,不拆最小包装零售。
运费说明:每笔采购金额不足2000元(两千元)人民币,运费一律由采购方自行承担!不便之处请谅解!