wm替代KBU8J ASEMI台湾品牌KBU806 相关信息由 深圳市强元芯电子提供。如需了解更详细的 wm替代KBU8J ASEMI台湾品牌KBU806 的信息,请点击 https://www.qiyeku.com/b2b/zhaodazhi123.html 查看 深圳市强元芯电子 的详细联系方式。
★电性参数:8A 600V★芯片材质:GPP★正向电流(Io):8A★芯片个数:4★正向电压(VF):1.1V★芯片尺寸:95 MIL★浪涌电流Ifsm:200A★是否进口:是★漏电流(Ir):5ua★工作温度:-55~+150℃★恢复时间(Trr):500ns★引线数量:4
赵大只