半导体激光打标机特点分析
功率大、热效应高
侧泵浦系统虽然常规输出的是多模激光，但是可以通过限模的方式得到TEM00模的光束（限模过程中虽然损失50-60%的能量，但侧泵浦可以做到的输出功率远大于光纤系统）；侧泵浦系统同样也可以选择较细的激光棒（?2棒），可以兼顾金属和塑胶的标记，同样可以做到很精细；光纤激光系统因为热效应高，不宜做成大功率，一般只能做到10W,20W，30w.而半导体可以选择?2和?3激光棒，光斑相对较粗，可以做到50W、75W、100W的大功率，更适合标记要求深度高，图纹不精细的金属等产品。
CO2激光打标机在国际上的安全标准
激光功率：30W
激光波长：10640nm
标准打标范围：100×100mm
选配打标范围：150×150/300×300mm
雕刻深度：≤3mm（视材料可调）
标刻速度：≤7000mm/s
最xiao线宽：0.03mm
最xiao字符：0.3mm
重复精度：±0.001mm
整机耗电功率：≤1KW
电力需求：220V/50-60Hz
冷却方式：内置循环水冷却
半导体激光打标机的优点
1、激光光束模式好，电光转换效率高，耗电少，免维护。
2、寿命长：有些光电量测厂商把量测设备中激光的光源由最初的 He-Ne激光改成二极管激光，以取得最jia的机器寿命（ He-Ne 激光寿命一般为 10^4 HR，而二极管激光寿命为 10^5HR ，相差十倍），特别适合现场长时间的操作。
3、瞬间即可达到开关的作用，适宜通信用途。并且半导体激光打标机一开机很快便稳定下来，又很合适用电路调制其输出，比如可使用脉波调制法量测距离（而 He-Ne 激光打标机必须开机三十分钟后才稳定下来，这点是万万比不上半导体激光打标机了）。
