电子束光刻系统 EBL (E-Beam Lithography)
电子束直写系统 、 电子束曝光系统
CBL-9000C series
30kV、50kV、90kV、110kV、130kV
2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是{zh0}的方法之。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提{jd0} 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
型号包括CBL-9000C系列、CBL-9000TF系列、8000TF系列、CBL-4200LB及CBL-4200LB。其中CBL-9000C系列最小线宽可达8nm，最小束斑直径2nm，刻精度 20nm(mean 2σ)，拼接精度 20nm(mean 2σ)。
技术参数：
1.最小线宽：小于10nm（可实8nm )
2.加速电压：5-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.刻精度：20nm(mean 2σ)
5.拼接精度：20nm(mean 2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm
要特点：
1.用高亮度和高稳定的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.用轴对称图书写技术，图偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/Gas 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），欣源科技（北京）,电子束光刻曝光机
,欣源科技（北京）有限公司，高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图线宽和图位移测量等。
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超高分辨率电子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography (CBL-UH series)
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是{zh0}的方法之。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提{jd0} 的电子束纳米光刻（EBL）系屮统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
超高分辨率的电子束光刻CBL-UH系列的型号包括：
CBL-UH90 (90keV) 、CBL-UH110 (110keV) 、CBL-UH130 (130keV)
技术参数：
加速电压：{zg}130keV
单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度
超短电子枪长度，欣源科技（北京）,电子束光刻曝光机
,欣源科技（北京）有限公司，无微放电
电子束直径＜1.6nm
最小线宽＜7nm
双热控制，实超稳定直写能力
欣源科技SYNERCE{dj2}代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系扌统，又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-Beam Lithography等。
包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV
2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸
如有rh需求和相关问题，敬请电话或邮件垂询。
.欣源科技（北京）///电子束光刻曝光机
