Description
The NP15N10G uses advanced trench technology
to provide excellent R DS(ON) and low gate charge.It can
be used in a wide variety of applications.
General Features
VDS =100V ID=15A
RDS(ON) (Typ.)=82mΩ @VGS=10V
RDS(ON) (Typ.)=90mΩ @VGS=4.5V
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability
Application
Automotive applications
Hard switched and high frequency circuits
Uninterruptible power supply
Package
TO-252-2L
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压IC、电压检测IC、DCDC升压IC、DCDC降压IC、LED闪灯IC、LED升压恒流驱动IC、LED降
压恒流驱动IC、MOSFET管等。