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GBL406/GBL408/GBL410_ASEMIl氮化镓快充桥堆-L
型号：GBL406
品牌：ASEMI
封装：GBL-4
特性：整流扁桥
电性参数：4A 600V
芯片材质：GPP
正向电流(Io)：4A
芯片个数：4
正向电压(VF)：1.10V
芯片尺寸：50
浪涌电流Ifsm：60A
漏电流(Ir)：5uA
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：4
氮化镓相比传统充电器，它有哪些优势？
1、充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。
2、散热快。氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性最小化。