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25小时在线 158-8973同步7035 可微可电所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,nand发生的次数要比nor多),一个比特位会发生反转或被反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是有问题,多读几次就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就 采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题 见于nand闪存,nand的供应商建议使用nand闪存的时候,同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他时, 使用edc/ecc系统以性。
坏块处理
nand器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,不划算。
nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高的用于磁盘和闪存管理算法的软件,包括性能化。
在nor器件上运行代码不需要的软件支持,在nand器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(mtd),nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。
使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些,许多厂商都提供用于nor器件的更软件,这其中包括m-system的trueffs驱动,该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。
nor flash的读取和我们常见的sdram的读取是一样，用户可以直接运行装载在nor flash里面的代码，这样可以减少sram的容量从而节约了成本。（一般程序运行需要将程序从eprom中读取到ram中然后运行，但是nor flash可以直接读取运行。） nor flash带有sram接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。nor flash占据了容量为1～16mb闪存市场的大部分。 nand flashLM2904VQDRQ1 TLV4314QPWRQ1 TL343IDBVR LM393DGKR TPS51916RUKT TPS2543RTER TPS62130AQRGTRQ1 TPS61096ADSSR TPD4S010DQAR LM337LM/NOPB SN74LVC1T45QDCKRQ1 TXS0102YZPR TPS54225PWP INA193AMDBVREP TPS259270DRCR SN65HVD1050DR TPS259530DSGR TL343IDBVT AM26LV32IDR ISO7321CDR SN74LVC1T45DRLR ISO7221BDR CSD18532Q5B TS3USB221ERSER