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ASEMI高压整流桥原理作用和高压整流硅堆的参数解析!

作者:深圳市强元芯电子有限公司 来源:qyxdx 发布时间:2017-07-06 浏览:958
ASEMI高压整流桥原理作用和高压整流硅堆的参数解析!

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摘要 : 集成整流桥高压整流技术的发展历程,延续至今,是经历了怎样的风花雪月呢?点我加速!
集成整流桥高压整流技术的发展历程,延续至今,是经历了怎样的风花雪月呢? 高压整流桥技术的发展历程,高压整流桥的发展经历了三代,ASEMI为您加速!



集成整流桥的发展经历了三个阶段,下面我们来分别为大家讲一下:


{dy}阶段,整流桥的技术革新时代,2000年之后,整流桥的高压需求变得越来越紧迫,同时

随着工业技术的不断发展,高压技术的研究也取得了突破性的进展,采用了新的工艺制造水

平,不仅使得成本大大降低,提高了高压整流桥的普及率,而且芯片的性能也趋于稳定,自

此之后,整流桥的耐压普遍由400V以下,变为1000V以上甚至是1600V,可以直接接在家用电

源或者是工业电源上,而不需要再提供前端的变压器



第二阶段,技术革新之后,人们开始寄希望于开发出更高耐压的二极管桥堆,同时随着技术

的不断改进,二极管芯片离散性一致的提高,人们开始使用多个二个管串联的方式开来提高

整流桥堆产品的耐压,当然,这些都是建立在整流桥堆内部芯片的可以保证一致的前提下,

整流桥的耐压也提高到了近1W的耐压。


第三阶段,也就是2010年之后,研究人员发现,技术上的改进已无法使得普通的二极管获得

更高的耐压,而新材料的出现为高压整流桥带来了新的转机,这是目前所有人都在攻克的一

项技术,虽然到目前为止,接近10000V的高压二极管已经出现,但其高昂的成本,使得它暂

时无法广泛应用于现有的工业当中,相信在不久的将来,这一难题会得到根本的解决

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