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编辑-LL
9N90-ASEMI小功率N沟道MOS管
型号：9N90
品牌：ASEMI
封装：TO-220
正向电流：9A
反向耐压：900V
工作温度：-55~150°C
MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上wq相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是wq对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能后确认具体的源和漏