离子注入硅的损伤分布半导体样品在离子注入过程中引起辐照损伤，过去测定辐照损伤主要用背散射技术等，椭偏术也是一种近期发展起来检测损伤的方法。过去，单波长椭偏术需要与剖层技术结合，才能定出损伤分布．近来我们采用椭偏光谱结合剖层技术，可更准确地定出As注入Si的损伤分布，并找出确定损伤分布的合适波长，不是常用的6328 ﹨dot{A}，而是3600—5000 。另一方面，我们探索了不用剖层技术，单用椭偏光谱技术无损伤地确定损伤分布，即从椭偏参数的光谱分布推断出损伤(无序度)的空间分布。结果表明是成功的。
光谱反射仪测量的是垂直光，它忽略偏振效应 （绝大多数薄膜都是旋转对称）。 因为不涉及rh移动设备，光谱反射仪成为简单低成本的仪器。光谱反射仪可以很容易整合加入更强大透光率分析。
可以看出, 光谱反射仪通常是薄膜厚度超过10um，而椭偏仪侧重薄于10nm的膜厚。在10nm到10um厚度之间，两种技术都可用。 而且具有快速，简便，成本低特点的光谱反射仪通常是更好的选择。
原位(In situ)椭圆偏振指在样品变化的过程对其进行动态的量测，这过程如薄膜的成长，样品的蚀刻或清洁等。藉由原位技术，可使取得基本过程随时间变化之光学特性参数，如成长或蚀刻速率。原位椭圆偏振的量测，需有许多额外的考量：光点要进入处理腔室并打到样品，比起ex situ在腔室外的测量，更为不易。因此，其机械装置可能得外加光学元件（镜子、棱镜或透镜）以调整光束，将其重新导向或聚焦。
