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功能
•可在-60°C至+230°C温度范围之外运行。
•驱动P-和N-沟道MOSFET(VGS=5V)。
•输入到输出级的偏移电压从-30V到+35V。
•作为低端或驱动器操作。
•PVDD域上的欠压锁定(UVLO)。
•标准施密特触发器CMOS输入。
•即插即用,可使用任何数字3.5V至5V输出。
•高达1A汇/源电流(@Tj=+230°C)。
•P沟道和N沟道MOSFET的去饱和保护。
•检测到去饱和时的软关闭功能。
•向数字控制器报告错误。
•单片设计。
•免闩锁。
•坚固耐用的陶瓷SMD和通孔封装。
•也可用作裸模。
应用
•可靠性关键,汽车、航空航天、井下。
•DC/DC转换器、负载点功率转换器、开关电源、PWM控制、电机驱动、浮动或接地开关、电源开关(GaN)。