多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显着，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。
因而需要探索一种新的多晶硅锭的制备方法，以解决上述存在的技术问题。
本发明的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种{gx}多晶硅锭的制备方法，所述方法可制得转换效率高的多晶硅锭，制得的多晶硅锭晶粒细小且分布均匀，对应晶砖少子寿命高且低少子寿命杂质点少，无明显枝晶和孪晶产生。
本发明是通过以下技术方案予以实现的。
一种{gx}多晶硅锭的制备方法，所述方法步骤如下:(I)将硅溶胶与高纯石英砂料浆按5: 5 - 7: 3的质量比混合均匀形成混合浆料，将混合浆料刷涂在多晶硅铸锭炉的坩埚的内底部形成粘结层；(2)再将形核源刷涂或洒涂在所述粘结层上形成形核源层，所述形核源的粒度为30 - 100目，形核源层的厚度为I 一 2mm; (3)然后在500 — 700°C下烘干2 — 4h ;
(4)再在形核源层的上层及坩埚的内侧壁刷涂氮化硅涂层；(5)然后再在位于形核源层上方的氮化硅涂层上铺设一层形核源保护层，以防止形核源在装料过程中遭到破坏，所述形核源保护层由完整的片状废硅料铺设而成，所述保护层的厚度为I一 20_ ;
(6)向坩埚内装载固体硅料，关闭多晶硅铸锭炉的保温罩，加热坩埚至1530 - 1560°C直至固体硅料wq熔化成硅液；(7)
通过调整多晶硅铸锭炉的加热功率来控制坩埚内部的温度梯度，使得坩埚内部形成由底部向上的垂直温度梯度，打开保温罩，将保温罩升高5 — 8cm,将多晶铸锭的顶部中央区域温度(TCl)降低至1420 - 1432°C，使得坩埚底部温度降低，坩埚底部硅液处于过冷状态，利用形核源层形核结晶从而得到{gx}多晶硅锭，所述形核结晶过程中过冷度控制在-10~-35K。
多晶硅定向凝固装置
[简介]： 本发明属于多晶硅定向凝固领域，具体涉及一种多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，在真空环境下将多晶硅原料加热熔化形成硅液，然后充入气，通过拉锭机构对硅液进行定向凝固，当硅液定向凝固到75～85%时，开启真空...
多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法
[简介]： 本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为2.0～3.0nm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火3～5小时，形成一薄层镍硅化合物NiSi2小籽晶，用...
