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佛山三极管,【天盛微电子】,广东三极管厂家直销

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庄贞文(经理)
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深圳市天盛微电子有限公司
郑州市管城区
2851716670@qq.com
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深圳市天盛微电子有限公司

深圳市天盛微电子有限公司,创建于2008年,是一家专业经营半导体元器件生产及销售为一体的企业。我司长期致力于三极管,二极管系列产品研发,与制造的专业厂商长期合作生产、销售半导体分立器件,我司专业人员选购国内外半导体厂家的圆晶芯片,OEM委托国内半导体封装大厂生产贴片、插脚双极小、中、大功率二三极管,MOSFET晶体管;三端稳压78LXX系列,TL431;8000和9000系列开关管1300X系列;LDO直流电压转换ICAMS1117系列;Trench(沟槽)MOS:SI23XX系列、AO34XX系列;MOS电源开关:1N60~12N60系列;肖特基整流管:1A~20A系列;产品通过SGS环保通产品认证,全部产品封装wq在ISO9002质量管理体系认证、监控下自动化生产,电参数严格按照国家标准及国外同型号产品电参数规格计算机自动测试,电性能和国际同型号产品相兼容,可互换;全部产品是用无铅工艺生产,经国家质量检测中心检测,达到国际绿色环保品质ROHS和REACH标准,品质优良,可靠性高。广泛应用于PC电源,电源充电器、手机充电器DVD、电动车车载逆变器、笔记本电源适配器、HID灯、电焊机、电动车控制器、电子玩具、网络产品、通讯设备、防盗设备、各类仪表仪器、家用电器等领域;公司一直坚守奉行:“顾客至上,追求{zy1},诚信共赢,共创辉煌”这一理念!根据市场需求及经济环境,我司以珠江三角洲地区为主,面向全国,为各大小厂家提供优势的价格,以yz的服务态度来赢取客户对我司的满意,客户对我司的满意,是我司不二的追求。除自主GX品牌外我司还授权代理经销长电品牌。选择天盛微,就是选择一位yz的合作伙伴!天盛微全体员工热诚欢迎各界人士的光临!主要生产三极管封装:TO-92,TO-92L,TO-126,TO-220,SOT-23,TO-252251。二极管封装:DO-35,DO-41,DO-15,DO-27,R-6,SOD-123,SOD-323,SOD-523,SOD-723,SMA,SMB,SMC,LL34,LL41。主要品牌:GX,长电。欢迎垂洵!
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三极管是两个PN结共居于一块半导体材料上,因为每个半导体三极管都有两个PN结,所以又称为双极结晶体管。三极管实际就是把两个二极管同极相连。它是电流控制元件,利用基区窄小的特殊结构,通过载流子的扩散和复合,实现了基极电流对集电极电流的控制,使三极管有更强的控制能力。按照内部结构来区分,可以把三极管分为PNP管和NPN管,两只管按照一定的方式连接起来,就可以组成对管,具有更强的工作能力。如果按照三极管的功耗来区别,可以把它们分为小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管等。

三极管具有对电流信号的放大作用和开关控制作用。所以,三极管可以用来放大信号和控制电流的通断。在电源、信号处理等地方都可以看到三极管,集成电路也是由许多三极管按照一定的电路形式连接起来,具有某些用途的元件。三极管是最重要的电流放大元件。




我司产品广泛应用于PC电源,电源充电器、手机充电器DVD,电动车车载逆变器、笔记本电源适配器、HID灯、电焊机、电动车控制器、电子玩具、网络产品、通讯设备、防盗设备、各类仪表仪器、家用电器等领域; 公司一直坚守奉行:“顾客至上,追求卓越,诚信共赢,共创辉煌”这一理念!

自有工厂自主研发产品种类达8600种。

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三极管的发明;

1947年12月23日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史具有划时意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。




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场效应管的参数;

场效应管的参数很多,bao括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时gz以下主要参数:

(1)、 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。

(2)、 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

(3)、开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

(4)、跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。

(5)、漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压。

(6)、耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率。

(7)、大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流。


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